【cpu芯片制程】cpu芯片制程是什么 cpu芯片的制作工藝

cpu芯片制程是什么

要了解CPU的生產(chǎn)工藝，我們需要先知道CPU是怎么被制造出來的。

（1） 硅提純

生產(chǎn)CPU等芯片的材料是半導體，現(xiàn)階段主要的材料是硅Si，這是一種非金屬元素，從化學的角度來看，由于它處于元素周期表中金屬元素區(qū)與非金屬元素區(qū)的交界處，所以具有半導體的性質(zhì)，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的材料之一。

在硅提純的過程中，原材料硅將被熔化，并放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐里放入一顆晶種，以便硅晶體圍著這顆晶種生長，直到形成一個幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是200毫米，而CPU廠商正在增加300毫米晶圓的生產(chǎn)。

（2）切割晶圓

硅錠造出來了，并被整型成一個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。晶圓才被真正用于CPU的制造。所謂的“切割晶圓”也就是用機器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規(guī)格的硅晶片，并將其劃分成多個細小的區(qū)域，每個區(qū)域都將成為一個CPU的內(nèi)核(Die)。一般來說，晶圓切得越薄，相同量的硅材料能夠制造的CPU成品就越多。

（3）影印（Photolithography）

在經(jīng)過熱處理得到的硅氧化物層上面涂敷一種光阻(Photoresist)物質(zhì)，紫外線通過印制著CPU復雜電路結(jié)構(gòu)圖樣的模板照射硅基片，被紫外線照射的地方光阻物質(zhì)溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區(qū)域也受到光的干擾，必須制作遮罩來遮蔽這些區(qū)域。這是個相當復雜的過程，每一個遮罩的復雜程度得用10GB數(shù)據(jù)來描述。

（4）蝕刻(Etching)

這是CPU生產(chǎn)過程中重要操作，也是CPU工業(yè)中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。

然后，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區(qū)域的導電狀態(tài)，以制造出N井或P井，結(jié)合上面制造的基片，CPU的門電路就完成了。

（5）重復、分層

為加工新的一層電路，再次生長硅氧化物，然后沉積一層多晶硅，涂敷光阻物質(zhì)，重復影印、蝕刻過程，得到含多晶硅和硅氧化物的溝槽結(jié)構(gòu)。重復多遍，形成一個3D的結(jié)構(gòu)，這才是最終的CPU的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導體。Intel的Pentium 4處理器有7層，而AMD的Athlon 64則達到了9層。層數(shù)決定于設計時CPU的布局，以及通過的電流大小。

（6）封裝

這時的CPU是一塊塊晶圓，它還不能直接被用戶使用，必須將它封入一個陶瓷的或塑料的封殼中，這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結(jié)構(gòu)各有不同，但越高級的CPU封裝也越復雜，新的封裝往往能帶來芯片電氣性能和穩(wěn)定性的提升，并能間接地為主頻的提升提供堅實可靠的基礎。

（7）多次測試

測試是一個CPU制造的重要環(huán)節(jié)，也是一塊CPU出廠前必要的考驗。這一步將測試晶圓的電氣性能，以檢查是否出了什么差錯，以及這些差錯出現(xiàn)在哪個步驟（如果可能的話）。接下來，晶圓上的每個CPU核心都將被分開測試。

由于SRAM（靜態(tài)隨機存儲器，CPU中緩存的基本組成）結(jié)構(gòu)復雜、密度高，所以緩存是CPU中容易出問題的部分，對緩存的測試也是CPU測試中的重要部分。

每塊CPU將被進行完全測試，以檢驗其全部功能。某些CPU能夠在較高的頻率下運行，所以被標上了較高的頻率；而有些CPU因為種種原因運行頻率較低，所以被標上了較低的頻率。最后，個別CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果問題出在緩存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分緩存，這意味著這塊CPU依然能夠出售，只是它可能是Celeron等低端產(chǎn)品。

當CPU被放進包裝盒之前，一般還要進行最后一次測試，以確保之前的工作準確無誤。根據(jù)前面確定的最高運行頻率和緩存的不同，它們被放進不同的包裝，銷往世界各地。

cpu芯片的制作工藝

隨著生產(chǎn)工藝的進步，CPU應該是越做越??？可為什么現(xiàn)在CPU好像尺寸并沒有減少多少，那么是什么原因呢？實際上CPU廠商很希望把CPU的集成度進一步提高，同樣也需要把CPU做得更小，但是因為現(xiàn)在的生產(chǎn)工藝還達不到這個要求。

生產(chǎn)工藝這4個字到底包含些什么內(nèi)容呢，這其中有多少高精尖技術的匯聚，CPU生產(chǎn)廠商是如何應對的呢？下文將根據(jù)上面CPU制造的7個步驟展開敘述，讓我們一起了解當今不斷進步的CPU生產(chǎn)工藝。

（1）晶圓尺寸

硅晶圓尺寸是在半導體生產(chǎn)過程中硅晶圓使用的直徑值。硅晶圓尺寸越大越好，因為這樣每塊晶圓能生產(chǎn)更多的芯片。比如，同樣使用0.13微米的制程在200mm的晶圓上可以生產(chǎn)大約179個處理器核心，而使用300mm的晶圓可以制造大約427個處理器核心，300mm直徑的晶圓的面積是200mm直徑晶圓的2.25倍，出產(chǎn)的處理器個數(shù)卻是后者的2.385倍，并且300mm晶圓實際的成本并不會比200mm晶圓來得高多少，因此這種成倍的生產(chǎn)率提高顯然是所有芯片生產(chǎn)商所喜歡的。

然而，硅晶圓具有的一個特性卻限制了生產(chǎn)商隨意增加硅晶圓的尺寸，那就是在晶圓生產(chǎn)過程中，離晶圓中心越遠就越容易出現(xiàn)壞點。因此從硅晶圓中心向外擴展，壞點數(shù)呈上升趨勢，這樣我們就無法隨心所欲地增大晶圓尺寸。

總的來說，一套特定的硅晶圓生產(chǎn)設備所能生產(chǎn)的硅晶圓尺寸是固定的，如果對原設備進行改造來生產(chǎn)新尺寸的硅晶圓的話，花費的資金是相當驚人的，這些費用幾乎可以建造一個新的生產(chǎn)工廠。不過半導體生產(chǎn)商們也總是盡最大努力控制晶圓上壞點的數(shù)量，生產(chǎn)更大尺寸的晶圓，比如8086 CPU制造時最初所使用的晶圓尺寸是50mm，生產(chǎn)Pentium 4時使用200mm的硅晶圓，而Intel新一代Pentium 4 Prescott則使用300mm尺寸硅晶圓生產(chǎn)。300mm晶圓被主要使用在90納米以及65納米的芯片制造上。

（2）蝕刻尺寸

蝕刻尺寸是制造設備在一個硅晶圓上所能蝕刻的一個最小尺寸，是CPU核心制造的關鍵技術參數(shù)。在制造工藝相同時，晶體管越多處理器內(nèi)核尺寸就越大，一塊硅晶圓所能生產(chǎn)的芯片的數(shù)量就越少，每顆CPU的成本就要隨之提高。反之，如果更先進的制造工藝，意味著所能蝕刻的尺寸越小，一塊晶圓所能生產(chǎn)的芯片就越多，成本也就隨之降低。比如8086的蝕刻尺寸為3μm，Pentium的蝕刻尺寸是0.90μm，而Pentium 4的蝕刻尺寸當前是0.09μm（90納米）。2006年初intel酷睿發(fā)布，采用65nm蝕刻尺寸，到2008年酷睿2已經(jīng)發(fā)展到45nm蝕刻尺寸，2010年1月英特爾發(fā)布第一代Core i系列處理器采用32nm的蝕刻尺寸，2012年4月，英特爾發(fā)布第三代Core i系列處理器采用22nm蝕刻尺寸，2015年初第五代Core i系列處理器采用14nm蝕刻尺寸，直到2016年第七代Core i系列KabyLake架構(gòu)的處理器還在延續(xù)使用14nm蝕刻尺寸。

此外，每一款CPU在研發(fā)完畢時其內(nèi)核架構(gòu)就已經(jīng)固定了，后期并不能對核心邏輯再作過大的修改。因此，隨著頻率的提升，它所產(chǎn)生的熱量也隨之提高，而更先進的蝕刻技術另一個重要優(yōu)點就是可以減小晶體管間電阻，讓CPU所需的電壓降低，從而使驅(qū)動它們所需要的功率也大幅度減小。所以我們看到每一款新CPU核心，其電壓較前一代產(chǎn)品都有相應降低，又由于很多因素的抵消，這種下降趨勢并不明顯。

我們前面提到了蝕刻這個過程是由光完成的，所以用于蝕刻的光的波長就是該技術提升的關鍵。目前在CPU制造中主要是采用2489埃和1930埃（1埃=0.1納米）波長的氪/氟紫外線，1930埃的波長用在芯片的關鍵點上，主要應用于0.18微米和0.13微米制程中，而目前Intel是最新的90納米制程則采用了波長更短的1930埃的氬/氟紫外線。

以上兩點就是CPU制造工藝中的兩個因素決定，也是基礎的生產(chǎn)工藝。這里有些問題要說明一下。Intel是全球制造技術最先進且擁有工廠最多的公司（Intel有10家以上的工廠做CPU），它掌握的技術也相當多，后面有詳細敘述。AMD和Intel相比則是一家小公司，加上新工廠Fab36，它有3家左右的CPU制造工廠。同時AMD沒有能力自己研發(fā)很多新技術，它主要是通過戰(zhàn)略合作關系獲取技術。

在0.25微米制程上，AMD和Intel在技術上處于同一水平，不過在向0.18微米轉(zhuǎn)移時落在了后面。在感覺無法獨自趕上Intel之后，AMD和摩托羅拉建立了戰(zhàn)略合作伙伴關系。摩托羅拉擁有很多先進的電子制造技術，用于Apple電腦PowerPC的芯片HiPerMOS7(HiP7)就是他們完成的；AMD在獲得授權(quán)后一下子就擁有了很多新技術，其中部分技術甚至比Intel的0.13微米技術還要好。現(xiàn)在AMD選擇了IBM來共同開發(fā)65納米和45納米制造技術。它選擇的這些都是相當有前景的合作伙伴，特別是IBM，一直作為業(yè)界的技術領袖，它是第一個使用銅互連、第一個使用低K值介電物質(zhì)、第一個使用SOI等技術的公司。AMD獲得的大多數(shù)技術很先進，而且對生產(chǎn)設備的要求不高，生產(chǎn)成本控制的很低，這也是AMD的優(yōu)勢。

圖為AMD的新工廠Fab36中采用的APM 3.0 (Automated Precision Manufacturing)技術，可進一步實現(xiàn)制造的自動化，效率化。同時AMD還建造了自己的無塵實驗室。

（3）金屬互連層

在前面的第5節(jié)“重復、分層”中，我們知道了不同CPU的內(nèi)部互連層數(shù)是不同的。這和廠商的設計是有關的，但它也可以間接說明CPU制造工藝的水平。這種設計沒有什么好說的了，Intel在這方面已經(jīng)落后了，當他們在0.13微米制程上使用6層技術時，其他廠商已經(jīng)使用7層技術了；而當Intel準備好使用7層時，IBM已經(jīng)開始了8層技術；當Intel在Prescott中引人7層帶有Low k絕緣層的銅連接時，AMD已經(jīng)用上9層技術了。更多的互連層可以在生產(chǎn)上億個晶體管的CPU(比如Prescott)時提供更高的靈活性。

我們知道當晶體管的尺寸不斷減小而處理器上集成的晶體管又越來越多的時候，連接這些晶體管的金屬線路就更加重要了。特別是金屬線路的容量直接影響信息傳送的速度。在90納米制程上，Intel推出了新的絕緣含碳的二氧化硅來取代氟化硅酸鹽玻璃，并同時表示這可以增加18%的內(nèi)部互連效率。